特許
J-GLOBAL ID：200903017345122899
架橋構造を導入した高耐久性燃料電池用高分子電解質膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
社本 一夫
, 増井 忠弐
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 桜井 周矩
, 神田 藤博
, 田中 英夫
, 細川 伸哉
, 深澤 憲広
, 平山 晃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-371249
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179301
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：
【課題】 高分子電解質膜における欠点であるイオン交換容量が小さく、かつ、耐酸化性や耐メタノール性が悪いことなどを解決課題とする。【解決手段】 基材とした高分子フィルムにγ線、電子線などの放射線を照射して官能性モノマーを多元共グラフト重合し、次いで、グラフトした分子鎖やスルホン酸基を導入して得られたグラフト分子鎖を含む高分子フイルム基材を放射線で架橋することによって、優れた耐酸化性、寸法安定性、電気伝導性と耐メタノール性を有し、かつ、イオン交換容量が広い範囲内に制御された高分子電解質膜。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
高分子フイルム基材に、モノマーとして、下記A群の1官能性ビニルモノマーを1種類以上と下記B群の多官能性ビニルモノマーを1種類以上の範囲で組み合わせ、それを多元共グラフト重合させ、グラフトした分子鎖を含むフイルム基材を放射線で架橋し、次いでグラフトした分子鎖や分子鎖中の芳香環にスルホン酸基を導入して得られる燃料電池用高分子電解質膜であって、
上記A群の1官能性ビニルモノマーが、スチレン、メチルスチレン類(α-メチルスチレン、ビニルトルエンなど)、エチルスチレン類、ジメチルスチレン類、トリメチルスチレン類、ペンタメチルスチレン類、ジエチルスチレン類、イソプロピルスチレン類、ブチルスチレン類(3-tert-ブチルスチレン、4-tert-ブチルスチレンなど)などのアルキルスチレン、クロロスチレン類、ジクロロスチレン類、トリクロロスチレン類、ブロモスチレン類(2-ブロモスチレン、3-ブロモスチレン、4-ブロモスチレンなど)、フルオロスチレン類(2-フルオロスチレン、3-フルオロスチレン、4-フルオロスチレン)などのハロゲン化スチレン、メトキシスチレン類、メトキシメチルスチレン類、ジメトキシスチレン類、エトキシスチレン類、ビニルフェニルアリルエーテル類などのアルコキシスチレン、ヒドロキシスチレン類、メトキシヒドロキシスチレン類、アセトキシスチレン類、ビニルベンジルアルキルエーテル類などのヒドロキシスチレン誘導体、ビニル安息香酸類、ホルミルスチレン類などのカルボキシスチレン誘導体、ニトロスチレン類などのニトロスチレン、アミノスチレン類、ジメチルアミノスチレン類などのアミノスチレン誘導体、ビニルベンジルスルホン酸類、スチレンスルホニルフルオリド類などのイオンを含むスチレン誘導体からなる群から選択されるモノマーであり、
上記B群の多官能性モノマーが、ビス(ビニルフェニル)エタン、ジビニルベンゼン、2,4,6-トリアリロキシ-1,3,5-トリアジン(トリアリルシアヌレート)、トリアリル-1,2,4-ベンゼントリカルボキシレート(トリアリルトリメリテート)、ジアリルエーテル、トリアリル-1,3,5-トリアジン-2,4,6(1H,3H,5H)-トリワン、2,3-ジフェニルブタジエン、1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、1,4-ジビニルオクタフルオロブタン、ビス(ビニルフェニル)メタン、ジビニルアセチレン、ジビニルスルフィド、ジビニルスルフォン、ジビニルエーテル、ジビニルスルホキシド、イソプレン、1,5-ヘキサジエン、ブタジエン、1,4-ジビニル-2,3,5,6-テトラクロルベンゼンからなる群から選択される架橋剤である、上記電解質膜。
IPC (3件)：
H01M 8/02
, H01B 1/06
, H01M 8/10
H01M8/02 P
, H01B1/06 A
, H01M8/10
5G301CD01
, 5G301CE01
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026BB10
, 5H026CX04
, 5H026EE18
, 5H026EE19
, 5H026HH00
, 5H026HH05
