特許
J-GLOBAL ID：200903017346599230

欠陥検査方法及びその装置

発明者：
遠藤 章宏

遠藤 章宏 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-047369
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 修正を要しないため検査対象からの除外を所望するパターンに生じた欠陥を検出しないようにすることにより、欠陥検出後に行う欠陥種確認作業の工数を短縮することができる欠陥検査方法及びその装置を提供する。【解決手段】 マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いはマスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、予め検査除外パターンを指定した検査用データ17と設計パターンから成る検査用データ11を作成し、マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報12と前記検査除外パターンを指定した検査用データ17と合成して得られた画像情報18を、設計パターンから成る検査用データ11とを比較照合することにより、相違箇所を欠陥と認識し、マスク基板上または半導体基板上の任意の半導体素子パターンの検査を除外する。
請求項（抜粋）：
マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンと当該設計パターンとを比較し、当該半導体素子パターンの欠陥或いは前記マスク基板上または半導体基板上の異物等を検出する欠陥検査方法において、(a)予め検査除外パターンを指定した検査用データと設計パターンから成る検査用データを作成し、(b)前記マスク基板上または半導体基板上に形成された半導体素子パターンから光学的に得られた画像情報と前記検査除外パターンを指定した検査用データとを合成して得られた画像情報を、設計パターンから成る検査用データと比較照合することにより、相違箇所を欠陥と認識し、前記マスク基板上または半導体基板上の任意の半導体素子パターンの検査を除外することを特徴とする欠陥検査方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 1/08 S ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/30 502 V
Fターム (23件)：
2G051AA56 ,  2G051AA65 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051EA12 ,  2G051ED01 ,  2G051ED04 ,  2G051ED11 ,  2H095BA01 ,  2H095BB06 ,  2H095BB09 ,  2H095BB10 ,  2H095BD02 ,  2H095BD04 ,  2H095BD05 ,  2H095BD12 ,  2H095BD15 ,  2H095BD19 ,  2H095BD26 ,  2H095BD27 ,  2H095BD28 ,  2H095BE07 ,  2H095BE10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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