半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062482
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250944
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】電気的絶縁性に優れたトランジスタを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】ポリシリコンゲート7aを覆うようにシリコン窒化膜を形成する。シリコン窒化膜に酸素雰囲気中で熱処理を施すことによりシリコン酸化窒化膜9bを形成する。シリコン酸化窒化膜9bおよびシリコン窒化膜9aに異方性エッチングを施すことによりサイドウォール絶縁膜10を形成する。エピタキシャル成長法により、ソース・ドレイン領域11a、11b上に所定の膜厚の選択シリコン膜12a、12bを形成する。この間、サイドウォール絶縁膜10の表面にはシリコン片が堆積しない。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に間隔を隔てて形成された第1導電層および第2導電層と、前記第1導電層と第2導電層との間を横切るように前記半導体基板の主表面上に形成されたシリコン窒化膜と、前記シリコン窒化膜の表面に形成され、前記第1導電層および前記第2導電層を形成する際に少なくとも所定の膜厚に達するまで、前記シリコン窒化膜の表面上に前記第1導電層および前記第2導電層となる材料が堆積するのを阻止する保護層とを備えた、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/205 , H01L 21/28 301 A , H01L 21/28 301 T , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 P

Fターム (32件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD46 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F040DA14 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040EF09 , 5F040EH02 , 5F040EK05 , 5F040FA03 , 5F040FA04 , 5F040FA07 , 5F040FA10 , 5F040FA16 , 5F040FC06 , 5F040FC21 , 5F045AA03 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AF03 , 5F045CB10 , 5F045DB02 , 5F045HA05 , 5F045HA06

前のページに戻る