特許
J-GLOBAL ID:200903017356319910
固体中のイオンの交換方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 田崎 豪治
, 西山 雅也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-013244
公開番号(公開出願番号):特開2005-206406
出願日: 2004年01月21日
公開日(公表日): 2005年08月04日
要約:
【課題】 ドライプロセスにより固体中の所望のイオンを交換し得、複雑なパターン形成も容易であるイオン交換方法を提供する。【解決手段】 固体中のイオンを交換する方法において、イオン交換により導入しようとするイオンを含有する固体電解質膜を、イオン交換されるイオンを含有する該固体表面(の少なくとも一部)に形成し、ついで熱処理もしくは電界印加することにより該固体電解質膜および該固体表面間でイオン交換を行うことを特徴とする。固体電解質膜は該固体電解質膜および該固体表面間でのイオン交換を終了した後に、除去される。本発明によれば、たとえばガラス表面に屈折率差を容易に形成しうる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
固体中のイオンを交換する方法において、イオン交換により導入しようとするイオンを含有する固体電解質膜を、イオン交換されるイオンを含有する該固体表面の少なくとも一部に形成し、ついで熱処理もしくは電界印加することにより該固体電解質膜および該固体表面間でイオン交換を行うことを特徴とする固体中のイオンの交換方法。
IPC (2件):
FI (2件):
C03C21/00 B
, B01J47/12 A
Fターム (9件):
4G059AA08
, 4G059AC09
, 4G059HB05
, 4G059HB10
, 4G059HB13
, 4G059HB14
, 4G059HB15
, 4G059HB17
, 4G059HB24
引用特許:
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