特許

J-GLOBAL ID：200903017360669608

露光方法

発明者： 鈴木 一明
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-224709
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067641
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 パターンの重ね露光を行う際の重ね合わせ精度の向上。【解決手段】 ウエハに形成されたサブフィールドc(1,1)〜c(7,5)のアライメントマーク位置を計測し、その計測値に基づいて、座標系(xw,yw)に関する露光フィールドa(1,1)〜a(3,3)の配列誤差を表すパラメータ,露光フィールドの配列誤差の線形成分から形成される座標系(xfc,yfc)に関するストライプb(1,1)〜b(3,3)の配列誤差を表すパラメータ,ストライプの配列誤差の線形成分から形成される座標系(xsc,ysc)に関するサブフィールドの配列誤差を表すパラメータおよびサブフィールドの配列誤差の線形成分から形成される座標系(xsub,ysub)に関するサブフィールドの歪みを表すパラメータを算出し、各パラメータに基づいてストライプ,露光フィールドおよびサブフィールドの線形的な配列誤差および歪みを補正して露光する。

請求項（抜粋）：

マスクパターンを感応基板上に投影露光する際に、1回のエネルギー線照射で露光される感応基板上の小領域を複数繋ぎ合わせて得られる露光領域が複数形成された感応基板に、さらにパターンを重ねて露光する露光方法において、前記感応基板に形成された複数の小領域のアライメントマーク位置を計測する第1の工程と、前記第1の工程で得られた計測値に基づいて、理想直交座標系に関する前記露光領域の配列誤差を表す第1のパラメータ,前記露光領域の配列誤差の線形成分から形成される露光領域座標系に関する前記小領域の配列誤差を表す第2のパラメータおよび前記小領域の配列誤差の線形成分から形成される小領域座標系に関する前記小領域の歪みを表す第3のパラメータを算出する第2の工程と、前記第1,第2および第3のパラメータに基づいて前記露光領域および小領域の線形的な配列誤差および歪みを補正して露光する第3の工程とを有することを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 541 K ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 S