特許

J-GLOBAL ID：200903017360859083

無電解半田めっき浴

発明者： 高野 良比古 ,  千田 厚生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-168145
公開番号（公開出願番号）：特開平6-101056
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1994年04月12日
要約：

【要約】【目的】 銅もしくはニッケルなどの金属上、または活性化処理された不導体基体上に、自己触媒的に半田を析出させることが可能であり、任意の膜厚および皮膜組成に設定できる、無電解半田めっき浴を提供する。【構成】 金属イオンとして錫の2価イオンおよび鉛の2価イオンと、錯化剤と、還元剤とを含み、還元剤が3価のチタンイオンを含む。めっき浴の温度は、40〜80°Cとされ、めっき浴のpHは、5.0〜11.0とされる。

請求項（抜粋）：

金属イオンとして錫の2価イオンおよび鉛の2価イオンと、錯化剤と、還元剤とを含み、前記還元剤が3価のチタンイオンを含む、無電解半田めっき浴。