特許

J-GLOBAL ID：200903017363415283

Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いて形成した強誘電体薄膜、強誘電体メモリ

発明者： 澤田 佳宏 ,  橋本 晃 ,  小岩 一郎 ,  見田 充郎 ,  岡田 幸久 ,  金原 隆雄 ,  加藤 博代
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185872
公開番号（公開出願番号）：特開平10-259007
出願日： 1997年06月26日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 過剰金属元素の粒子の析出量、リーク電流を抑え、水素熱処理耐性、耐圧性に優れ、かつ緻密な膜形成が可能で、保存安定性に優れたBi系強誘電体薄膜形成用塗布液、強誘電体薄膜、強誘電体メモリを安価に提供する。【解決手段】 Bi、A金属元素(AはBi、Pb、Ba、Sr、Ca、Na、Kおよび希土類元素の中の少なくとも1種)、およびB金属元素(BはTi、Nb、Ta、W、Mo、Fe、CoおよびCrの中の少なくとも1種)の各金属アルコキシドを含み、かつ、これらのいずれか2種以上が形成してなる複合金属アルコキシド類を加水分解して得られる有機金属化合物を含有し、理論値の1〜1.1モル倍量のBiを含有するBi系強誘電体薄膜形成用塗布液、およびこれを用いて形成した強誘電体薄膜並びに強誘電体メモリ。

請求項（抜粋）：

Bi、A金属元素(ただし、AはBi、Pb、Ba、Sr、Ca、Na、Kおよび希土類元素の中から選ばれる少なくとも1種の金属元素である)、およびB金属元素(ただし、BはTi、Nb、Ta、W、Mo、Fe、CoおよびCrの中から選ばれる少なくとも1種の金属元素である)を含有してなるBi系強誘電体薄膜を形成するための塗布液であって、Bi、A金属元素(ただし、Aは上記で定義したとおり)、およびB金属元素(ただし、Bは上記で定義したとおり)の各金属アルコキシドを含み、かつ、これら各金属アルコキシドのいずれか2種以上が形成してなる複合金属アルコキシド類を、水または水と触媒を用いて加水分解することによって得られる有機金属化合物を含有し、かつ、理論値の1〜1.1モル倍量のBiを含有することを特徴とする、Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液。

IPC (3件)：

C01B 13/14 ,  C01G 29/00 ,  H01B 3/12 318

FI (3件)：

C01B 13/14 Z ,  C01G 29/00 ,  H01B 3/12 318 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 金属酸化物薄膜パターン形成用組成物及びその製造方法、金属酸化物薄膜パターンの形成方法並びに電子部品及び光学部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-181784   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 酸化物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134851   出願人：富士ゼロックス株式会社