半導体製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大胡典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222848
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058473
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】本発明は、コーティングディスクの交換時期をタイムリーに知り、金属汚染量を調べる作業を省略することを課題とする。【解決手段】本発明は、半導体ウェハーを載置するアルミ製ディスクの上にコーティング膜とは光学的性質の異なる膜(マーカー)を付けた後金属汚染防止用のコーティング膜を形成することを特徴とする。イオンビームがこのコーティング膜をスパッタリングすることにより徐々に削られマーカーが露出するが、このマーカーの露出は、光学的性質の違いにより検知でき、コーティングディスクの寿命を意味する。

請求項（抜粋）：

金属汚染を防ぐ第1のコーティング膜が形成されるアルミ製ディスク上に半導体ウェハーが保持され、上記第1のコーティング膜の少なくとも一部に光学的性質の異なる第2のコーティング膜を形成することによってコーティングされたアルミ製ディスクを構成することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01J 37/317 , H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/265 T , H01J 37/317 Z , H01L 21/68 N , H01L 21/265 603 D

Fターム (9件)：

5C034CC08 , 5C034CC09 , 5C034CC19 , 5C034CD07 , 5F031AA10 , 5F031GG19 , 5F031KK08 , 5F031LL09 , 5F031MM05

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開昭61-161713

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