特許

J-GLOBAL ID：200903017372197370

基板熱処理装置および基板熱処理方法

発明者： 松下 正直 ,  杉本 洋昭
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254210
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091188
出願日： 1998年09月08日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 基板上の塗布膜の膜厚の均一性またはパターン線幅均一性を向上させることができる基板熱処理装置および基板熱処理方法を提供することである。【解決手段】 筐体1内に加熱プレート5が配置されている。ガス供給系7により筐体1内の不活性ガス供給チャンバ21の吹き出し孔23を通して処理空間50に不活性ガスが供給される。ガス供給系7の流量調整弁10、開閉弁17、不活性ガス供給チャンバ21の傾きまたは吹き出し孔制御板31a,31bの位置を調整することにより、不活性ガスの流量、吹き出し時間、吹き出し場所または吹き出し方向を調整する。加熱プレート5の周囲に複数の排気口14が設けられている。各排気口14は排気系15に接続される。排気系15の各排気管路16内のダンパ17の開度および開閉時間を調整することにより、排気量、排気時間、排気場所または排気方向をそれぞれ調整する。

請求項（抜粋）：

基板に熱処理を行う基板熱処理装置であって、基板を支持する支持部および基板に熱処理を行う処理手段を有する基台と、前記基台の前記支持部に支持された基板を取り囲む筐体と、前記筐体内に気体を供給する給気手段と、前記筐体内の気体を排出する排気手段と、前記給気手段による前記筐体内への給気状態を調整する給気調整手段とを備えたことを特徴とする基板熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  F26B 21/00 ,  G03F 7/30 501

FI (3件)：

H01L 21/30 567 ,  F26B 21/00 Z ,  G03F 7/30 501

Fターム (30件)：

2H096AA25 ,  2H096GB03 ,  3L113AA01 ,  3L113AB02 ,  3L113AB06 ,  3L113AC08 ,  3L113AC14 ,  3L113AC28 ,  3L113AC45 ,  3L113AC46 ,  3L113AC48 ,  3L113AC49 ,  3L113AC50 ,  3L113AC52 ,  3L113AC53 ,  3L113AC57 ,  3L113AC63 ,  3L113AC67 ,  3L113AC72 ,  3L113AC73 ,  3L113AC74 ,  3L113AC76 ,  3L113AC78 ,  3L113AC83 ,  3L113AC90 ,  3L113BA34 ,  3L113CA11 ,  3L113DA25 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10