特許

J-GLOBAL ID：200903017375146229

不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者： 中村 明弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265834
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116032
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】チャネル部の不純物のプロファイルを保持でき、ひいては微細化を実現できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】ONO膜からなるゲート絶縁膜14を形成し、さらにコントロールゲート15用のポリシリコン膜151を形成してからチャネル部11Aに対する不純物の注入を行う。これにより、チャネル部の不純物のプロファイルを保つことができ、微細化を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板のチャネル領域上に第1の酸化膜、窒化膜、第2の酸化膜を順に積層してゲート絶縁膜を形成し、当該ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するとともに、上記チャネルに所定濃度の不純物を注入する不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、上記ゲート絶縁膜を形成した後、上記チャネルに対する不純物の注入を行う不揮発性半導体記憶装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-001132