特許

J-GLOBAL ID：200903017376800445

アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法

発明者： 岩崎 達哉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-221552
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103918
出願日： 2006年08月15日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】トランジスタのチャネルに用いられる酸化物材料に工夫を加え、上記ヒステリシスの低減を図ることを目的とする。【解決手段】In又はZnを含むアモルファス酸化物膜のチャネル層11を有する電界効果型トランジスタであって、アモルファス酸化物膜が1016/cm3以上1020/cm3以下の水素原子又は重水素原子を含有していることを特徴とする。また、アモルファス酸化物膜に含有される水素原子又は重水素原子の濃度が1017/cm3以上1019/cm3以下であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

In又はZnを含むアモルファス酸化物膜のチャネル層を有する電界効果型トランジスタであって、 前記アモルファス酸化物膜が1016/cm3以上1020/cm3以下の水素原子又は重水素原子を含有していることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G

Fターム (29件)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14