特許

J-GLOBAL ID：200903017380433384

半導体メモリ装置

発明者： 神▲ざき▼ 照明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-073779
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】 センスアンプ回路の入力信号線の電位が出力バッファ回路のしきい値を越えるまでに要する時間が長いため、メモリの読み出し速度が遅い。【解決手段】 選択されたビット線の電位を所定電位までプリチャージし、その後に、選択されたビット線の電位を上記所定電位をしきい値として判定するようにした半導体メモリ装置。

請求項（抜粋）：

ワード線とビット線との交差部に設けられた複数のメモリセルと、前記ビット線の一つを選択するビット線選択回路と、前記ビット線選択回路により選択されたビット線の電位を所定電位までプリチャージするプリチャージ手段と、前記プリチャージ手段を前記選択されたビット線から切り離した後に前記選択されたビット線を電源に接続するトランジスタと、前記選択されたビット線が前記電源に接続された後に前記所定電位をしきい値として前記選択されたビット線の電位を判定する出力バッファ回路とを備えた半導体メモリ装置。