特許

J-GLOBAL ID：200903017384004496

ダミーパターン付きレチクルおよびこのレチクルを用いて製造された半導体装置

発明者： 村上 明繁
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-262605
公開番号（公開出願番号）：特開平9-288347
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 ダミーラインを設けることによるパターン面積の拡大を極力押さえ、解像度、焦点深度を向上するダミーパターン付きレチクルの実現を課題とする。【解決手段】 ライン1のライン幅をL、スペース2のスペース幅とし、ラインアンドスペースパターンとダミーラインとの距離をSd,ダミーラインのライン幅をLdとした時、Sdを(L+S-Sd)/2以下とする。

請求項（抜粋）：

縮小投影露光装置に装着され、斜入射照明で照明されてウェーハ上にパターンを投影するレチクルにおいて、一方向に長い形状で繰り返されるライン幅Lのラインパターンとスペース幅Sのスペースパターンとからなるラインアンドスペースパターンと、前記ラインアンドスペースパターンの外側に前記縮小投影露光装置の解像限界以下のライン幅を有するダミーラインを配置したレチクルにおいて、前記ラインアンドスペースパターンと前記ダミーラインとの距離をSd、ダミーラインのライン幅をLdとすると、Sdを(L+S-Ld)/2以下とすることを特徴とするレチクル。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 502 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019191   出願人：日本電信電話株式会社