特許

J-GLOBAL ID：200903017392178487

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 佐々木 和明 ,  渡辺 昌規
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-126341
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334213
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 素子内部の発光効率を高め、素子外部への光取り出しを効率よく行うことができる半導体発光素子を提供する。【構成】 (111)B面を主面とするp型GaAs基板1に、(111)B面を上面21とする突出部20が形成され、突出部20の上面21を除いてn型GaAs電流狭窄層2が形成されている。その基板全面上に、AlGaInP活性層4の上下面を、p型AlGaInPクラッド層3とn型AlGaInPクラッド層5とで挟んでなる発光用積層部が形成されているので、電流が突出部上の発光部24に効率よく注入される。上部電極11は、主として突出部20の上方を除いて形成されているので、発光部24から素子外部への光の取り出し効率を高くすることができる。

請求項（抜粋）：

(111)B面を主面とする第1導電型のGaAs基板の表面に、上面と側面とを有する突出部が、上面を(111)B面として形成され、該突出部の上面を除いた基板上に、第1導電型と反対導電型である第2導電型のGaAs層または第2導電型のAlGaAs層が形成され、該第2導電型のGaAs層または第2導電型のAlGaAs層と、該突出部の上面との上に渡って、GaInPまたはAlGaInP層からなる活性層が、第1導電型のAlGaInP層と第2導電型のAlGaInP層とに挟まれてなる発光用積層部が形成された半導体発光素子。