レジストの剥離方法およびその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松村修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-129658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321603
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】イオンの打込み後における半導体ウエハ上のレジストの剥離の際におけるポッピングの発生を抑えるとともに、高レートでのレジストの剥離を行なうことを目的とする。【解決手段】硬化層27の剥離の際には補助ステージ21によって半導体ウエハ25を加熱手段19を有するステージ16から浮かせて100°C前後の低温で行なうとともに、硬化層27が剥離された後に補助ステージ21を下げ、ヒータ19によって加熱されているステージ16と接触させて200〜300°Cの高温の状態でノーマル層26の剥離を行なう。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に形成されたレジスト層をプラズマアッシングによって剥離するレジストの剥離方法において、加熱手段を有するステージから前記半導体ウエハを浮かせて低温でレジスト層の表面の硬化層の剥離を行ない、その後に前記半導体ウエハを前記加熱手段を有するステージに接触させて高温でレジスト層のノーマル層を剥離することを特徴とするレジストの剥離方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/68 N , H01L 21/30 572 A

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