特許

J-GLOBAL ID：200903017402670393

固体撮像装置

発明者： 近藤 隆二
出願人/特許権者： 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 ,  富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010913
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203343
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードの飽和領域における特性のバラツキを抑える。【解決手段】 第1導電型半導体基板1と、その上に形成された第2導電型のウェル層15と、第2導電型ウェル層15内の上部においてそれとともにp-n接合を有する光電変換素子3aを形成する第1の第1導電型半導体層14と、第2導電型ウェル層15内の上部において、垂直電荷転送路5を形成する第2の第1導電型半導体層と、第2導電型ウェル層15と第1導電型半導体基板1との間に形成され、深さ方向にほぼフラットなバリア高さを有する第1のポテンシャルバリア層14とを含む。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、前記第1導電型半導体基板上に形成され、深さ方向にほぼフラットなバリア高さを有する第1のポテンシャルバリア層と、前記第1のポテンシャルバリア層の上に形成された第2導電型のウェル層と、前記第2導電型ウェル層内の表面近傍領域に列方向及び行方向に整列した行列状に配置され、前記第2導電型ウェル層とともに光電変換素子を形成する第1の第1導電型半導体層と、前記第2導電型ウェル層内において、前記列方向に整列した前記第1の第1導電型半導体層に行方向に近接して形成され、前記光電変換素子に蓄積された電荷を転送する垂直電荷転送路を形成する第2の第1導電型半導体層と、を含む固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 F ,  H01L 27/14 B

Fターム (22件)：

4M118AA02 ,  4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118DA03 ,  4M118DA23 ,  4M118DA32 ,  4M118DB06 ,  4M118EA01 ,  4M118EA08 ,  4M118EA15 ,  4M118FA02 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118FA45 ,  4M118GB11