特許

J-GLOBAL ID：200903017403448970

半導体装置

発明者： 折原 旬一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036849
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 多層配線の交差部での切断の回避を製造上も比較的容易に実現することができる半導体装置を得る。【構成】 第一層配線16の周囲の形状をデザインルールに影響を与えない範囲で波型の凹凸形状とする。配線の輪郭線の法線方向についてのテーパをaとすると、第二層配線12の走行方向17のテーパはa×21/2 となる。また、第二層配線12の線幅をWとすると、第一層配線16の輪郭線が第二層配線12を横切る長さは延べにしてW×21/2 となる。従って、このような形状の第一層配線16上に所定の工程により第二層配線12を形成すると、これらの交差する部分では、第二層配線12の第一層配線16と対面する部分18(図1B)の形状もまた、波型の凹凸形状となる。このため、第二層配線12の段差部19の断面積は従来に比べて増加し、許容電流容量も増大する。

請求項（抜粋）：

複数の配線層を有する半導体装置であって、互いに隣接する2つの配線層のうち、下層側の配線の少なくとも上層と交差する部分の輪郭形状を波型としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205