特許
J-GLOBAL ID：200903017406477318
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242086
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092296
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 エミッタとゲートとの間の距離を基板内で均一にかつ短くすることができ、電子放出の均一化及び動作電圧の低電圧化をはかる。【解決手段】 電界放出型のエミッタを有する電子放出素子において、先端部が尖鋭な凸形状のダイアモンドエミッタ14と、このエミッタ14の周囲に該エミッタ14と接して設けられ、かつ該エミッタ14の先端部が露出するように設けられたp型Si層102と、エミッタ14の周囲に該エミッタ14と離間しp型Si層102と接して設けられ、かつエミッタ14の先端部が露出するように設けられたn型Si層101とを備える。
請求項（抜粋）：
先端部が尖鋭な凸形状のエミッタと、このエミッタの周囲に該エミッタと接して設けられ、かつ該エミッタの先端部が露出するように設けられたp型半導体層と、前記エミッタの周囲に該エミッタと離間し前記p型半導体層と接して設けられ、かつ前記エミッタの先端部が露出するように設けられたn型半導体層とを具備してなることを特徴とする電子放出素子。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01L 21/306
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
, H01L 21/306 B
