特許
J-GLOBAL ID：200903017408552538

半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置

発明者：
関口 正紀

関口 正紀 について

, 
松元 省二

松元 省二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 福井 豊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-351106
公開番号（公開出願番号）：特開2008-166335
出願日： 2006年12月27日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】コンタクト抵抗の低抵抗化と、コンタクト抵抗の面内ばらつきの低減とを両立することができる半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】コンタクトホール底部に対して、堆積物および半導体基板中のダメージ層の除去を目的として実施されるライトエッチング処理を、放電管2の周囲に配置されたリング状の電極1と半導体基板3との距離を調整した状況下で行う。当該距離は予め取得された、電極1と半導体基板3との間の距離と、コンタクト抵抗およびコンタクト抵抗のばらつきとの関係に基づいて設定することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板と上層配線とを電気的に接続するコンタクト構造を備える半導体装置の製造方法において、 半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、 前記層間絶縁膜に貫通孔を形成するステップと、 前記貫通孔に形成されるコンタクト構造のコンタクト抵抗およびそのコンタクト抵抗のばらつきが所定の範囲内になる状態にプラズマの高密度領域と前記半導体基板との距離を調整した状況下で、前記貫通孔に対してプラズマ処理を行うステップと、 を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/90 A
Fターム (20件)：
5F004AA06 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB05 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA07 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX21
引用特許：
出願人引用 (1件)

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