特許

J-GLOBAL ID：200903017417368669

厚膜パターン形成方法

発明者： 大久保 桜子 ,  岡 素裕
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 土井 育郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-210567
出願日： 1993年01月14日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：

【要約】【目的】 サンドブラスト加工により基板上に厚膜パターンを形成する際に使用するサンドブラスト用マスク剤の選定の幅を広げる。【構成】 基板1上のパターン形成層2の上に剥離層3を形成してから、該剥離層3の上に耐サンドブラスト性を有するマスク剤により所望パターンのマスク層4aを形成し、該マスク層4aを介してサンドブラスト処理を行った後、マスク層4aを剥離層3から除去して目的とする厚膜パターンを得る。サンドブラスト処理後においてマスク層4aが剥離層3により容易に剥離できることから、パターン形成層2の上に直接塗布すると剥離不可能であったマスク剤をも使用可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上のパターン形成層の上に剥離層を形成してから、該剥離層の上に耐サンドブラスト性を有するマスク剤により所望パターンのマスク層を形成し、該マスク層を介してサンドブラスト処理を行った後、マスク層を剥離層からを除去して目的とする厚膜パターンを得ることを特徴とする厚膜パターン形成方法。

IPC (4件)：

B24C 1/04 ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1333 500 ,  H05K 3/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-196736
  
• 特開平3-269834
  
• 特開平3-080441