特許
J-GLOBAL ID:200903017418447970
半導体粒子蛍光体およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (6件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-265559
公開番号(公開出願番号):特開2007-077245
出願日: 2005年09月13日
公開日(公表日): 2007年03月29日
要約:
【課題】 結晶粒子の表面欠陥をキャッピングすることによって、発光効率が高く信頼性に優れた半導体粒子蛍光体、およびその簡便な製造方法を提供する。【解決手段】 13族元素と窒素原子との結合を含む結晶粒子に、少なくとも窒素原子と炭素原子との結合を含む修飾修飾有機化合物で被覆してなることを特徴とする、半導体粒子蛍光体を提供する。 また、13族元素と窒素原子との結合を含む結晶粒子に、少なくとも窒素原子と炭素原子との結合を含む修飾有機化合物で被覆してなる半導体粒子蛍光体の製造方法であって、13族元素化合物と、前記修飾有機化合物とを混合した合成溶液を加熱する工程を含むことを特徴とする、半導体粒子蛍光体の製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
13族元素と窒素原子との結合を含む結晶粒子に、
少なくとも窒素原子と炭素原子との結合を含む修飾修飾有機化合物で被覆してなることを特徴とする、半導体粒子蛍光体。
IPC (3件):
C09K 11/08
, C09K 11/62
, C01B 21/06
FI (4件):
C09K11/08 G
, C09K11/62
, C09K11/08 A
, C01B21/06 A
Fターム (6件):
4H001CA02
, 4H001CC13
, 4H001CF01
, 4H001XA07
, 4H001XA31
, 4H001XA49
引用特許:
引用文献:
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