特許

J-GLOBAL ID：200903017418465064

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 山華 雅司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283651
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125494
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 基板のプラズマ処理の検出を正確に行って基板の処理を精度良く行うことが可能なプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 基板10が配置される処理容器2と、処理容器2内に処理ガスを供給するガス供給管5と、上記処理容器2内に配置され高周波が印加されることにより処理容器2内にプラズマを発生させる電極板9と、上記電極板9に近接して配置され上記処理容器2内で発生するプラズマインピーダンスを検出するインピーダンス検出手段13と、を具備したことを特徴としている。上記構成によると、プラズマを発生させて基板の処理を行い、さらに電極板の他方の側に近接してインピーダンス検出手段が接続されているため、プラズマインピーダンス以外のインピーダンスの影響が低減され、よってプラズマインピーダンス変化を大きな割合で検出できる。そのため終点検出が精度良く行える。

請求項（抜粋）：

基板が配置される処理容器と、上記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給管と、上記処理容器内に配置され、高周波が印加されることにより上記処理容器内にプラズマを発生させる電極板と、上記電極板に近接して配置され上記処理容器内で発生するプラズマのプラズマインピーダンスを検出するインピーダンス検出手段と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 F ,  H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 E