特許
J-GLOBAL ID：200903017420090221
電子装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310371
公開番号（公開出願番号）：特開平7-013201
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】一層僅かに離間された細条とともにおよび/または細条の長さに沿って種々の箇所に用いられ、何ら余分の処理ステップを必要とすることなくイオン注入工程用の放電経路を形成する他の配列を提供する。【構成】駆動回路を有する液晶表示装置および他の大面積電子装置の製造に当たり、細条9や薄膜パターン12の他の部分がトランジスタ15を形成し、且つ細条9をイオン注入行程中放電損傷し得るようになる。この損傷は余分の処理行程を必要とすることのない放電経路10を設け、この放電経路10を製造された装置に保持することができる。この放電経路はその長さに沿って一連の放電ギャップ20を有し、これにより放電経路の順次の薄膜領域10,9を分離すると共に装置の通常の作動に対する電気絶縁を形成する。しかし、イオン注入中放電経路の分離された順次の領域10,9間の放電ギャップ20に電荷漏洩が生じ、パターン12から連続して制御された放電が得られるようにする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板を有する電子装置を製造するに当たり、絶縁基板上に種々の材料の薄膜を堆積し、この薄膜を所望のパターンにエッチングし、前記薄膜の少なくとも1つの区域にイオンを注入することにより前記絶縁基板に薄膜回路素子を形成し、一方前記イオン注入工程前に前記基板に1群の細条および放電経路を具える薄膜パターンを設け、この放電経路はこれを前記群内から前記基板の周辺に向かって外方に延在させるとともにイオン注入中前記細条の荷電を緩和するようにした電子装置の製造方法において、前記薄膜パターンは前記放電経路の長さに沿ってこの放電経路の順次の薄膜領域を分離する一連の放電ギャップを設け、この放電ギャップの両端間で前記イオン注入工程中前記放電経路の個別の順次の領域間に電荷漏洩を生ぜしめ、前記群の細条を前記放電経路の隣接領域から個別の放電ギャップにより分離するようにしたことを特徴とする電子装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 21/265
, H01L 29/786
H01L 21/265 N
, H01L 29/78 311 F
