特許
J-GLOBAL ID：200903017420488225
接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116876
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314096
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 製造工程の工数を削減することができる接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 この接合型電界効果トランジスタは、縦型構造を有するとともに、ノーマリオフ型のオンオフ特性を有し、半導体基板1、チャネル層3およびソース拡散層9がSicを主成分として形成されている。ゲート配線7は、チャネル層3にPN接合するチャネル層3とは異種の半導体材料(ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料)によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。
請求項（抜粋）：
チャネル層にゲート配線が面接触された接合型電界効果トランジスタであって、前記ゲート配線が、前記チャネル層とPN接合する前記チャネル層とは異種の半導体材料によって形成されたコンタクト層を備えていることを特徴とする接合型電界効果トランジスタ。
Fターム (12件)：
5F102FA01
, 5F102GB04
, 5F102GC08
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GL02
, 5F102GS10
, 5F102GV06
, 5F102GV07
, 5F102GV08
, 5F102HC01
, 5F102HC16
