特許

J-GLOBAL ID：200903017420520633

オーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法

発明者： 細川 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-257949
公開番号（公開出願番号）：特開平7-110973
出願日： 1993年10月15日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】少なくともメモリー層、記録層、及び初期化層を含む4層以上の磁性層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体の、メモリー層、記録層、及び初期化層のうち少なくともメモリー層と記録層を希土類金属主体のターゲットと遷移金属主体のターゲットの2元同時スパッタリングにより成膜し、他の層は希土類金属-遷移金属合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜することで繰り返し再生及び繰り返し記録に対する耐久性に優れ、また、オーバーライト時のC/N値低下の無いオーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも基板上に、メモリ層、記録層、初期化層を含む4層以上の希土類-遷移金属合金薄膜からなる磁性層をスパッタリング装置により成膜することにより、オーバーライト可能な光磁気記録媒体を製造する方法において、前記メモリー層と前記記録層を希土類金属主体のターゲットと遷移金属主体のターゲットの2元同時スパッタリングにより成膜し、他の層は希土類-遷移金属合金ターゲットを用いたスパッタリングにより成膜することを特徴とするオーバーライト可能な光磁気記録媒体の製造方法。