特許

J-GLOBAL ID：200903017424688482

集積回路の配線形成方法および集積回路の配線構造

発明者： 久保田 邦親 ,  平木 明敏
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162581
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005604
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 ストレスマイグレーションなどによる集積配線の断線を防ぐことのできる集積回路の配線形成方法および配線構造を提供する。【構成】 本発明は、実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比N/Tiが0.2ないし0.9のターゲットを窒素を含むスパッタリングガスを用いてスパッタリングを行い、前記ターゲットの窒素とチタンの原子比よりも窒素の比が多く、かつ実質的にNaCl型の結晶構造を有する窒化チタン薄膜でなるバリアメタル層を形成し、該バリアメタル層の上にアルミニウムを主成分とする配線層を形成することを特徴とする集積回路配線の形成方法である。好ましくは、バリアメタル層は、(200)結晶面と(111)結晶面のX線回折強度の比(200)/(111)が0.15以下、配線層は、X線回折分析によるアルミニウムの(111)結晶面のピークの半値幅が2.5度以下とする。

請求項（抜粋）：

実質的にチタンと窒素で構成され、窒素とチタンの原子比N/Tiが0.2ないし0.9のターゲットを窒素を含むスパッタリングガスを用いてスパッタリングを行い、前記ターゲットの窒素とチタンの原子比よりも窒素の比が多く、かつ実質的にNaCl型の結晶構造を有する窒化チタン薄膜でなるバリアメタル層を形成し、該バリアメタル層の上にアルミニウムを主成分とする配線層を形成することを特徴とする集積回路配線の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-256313
  
• 特開昭60-005560
  
• 特開昭63-259075