特許
J-GLOBAL ID：200903017425139571
シリコン-ゲルマニウム系材料の接合方法および熱電変換モジュールの製造方法ならびに熱電変換モジュール
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-216780
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068172
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 高温端接合部の耐熱性,耐熱衝撃性に優れ、熱電変換効率が良い温度範囲で使用でき、接合部での発電損失が少ない熱電変換モジュールを製造する。【解決手段】 p型熱電半導体3と電極6,7とn型熱電半導体2が電気的に接合された接合部をもつ熱電変換モジュール1を製造するに際して、シリコン-ゲルマニウムが主成分であるp型熱電半導体3およびn型熱電半導体2と電極6,7の接合に、Agからなる接合材4,5あるいはAg含有量が85重量%以上で残部がMn,Cr,V,Tiのうちから選ばれる1種類以上の元素からなる接合材4,5を使用して接合部を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン-ゲルマニウム系材料の同種接合あるいはシリコン-ゲルマニウム系材料と金属材料の異種接合に際して、Ag含有率が85重量%以上の接合材を使用することを特徴とするシリコン-ゲルマニウム系材料の接合方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/14
, H01L 35/32 A
