特許

J-GLOBAL ID：200903017428732010

半導体装置

発明者： 大倉 康幸 ,  井原 茂男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157373
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008296
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】低電圧動作時に有効な微細電界効果トランジスタの構造を与える。【構成】キャリア走行領域には不純物濃度の低い層5を設け、その下に高不純物濃度層4を設ける。この層4はゲートにより完全に空乏化するように設計されている。さらにその下に不純物濃度の低い層3,不純物濃度の高い不純物層2が設けられ、空乏層は不純物層2で止まるように設計されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板中に第1の導電型の不純物を含むウエル層を形成し、上記ウエル層上に不純物濃度の高い第1の導電型の第1の不純物層,不純物濃度の低い第2の不純物層,不純物濃度の高い第1の導電型の第3の不純物層,不純物濃度の低い第4の不純物層を順次に形成し、上記第4の不純物層上に絶縁膜,導電膜を順に形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/78 301 Y