特許

J-GLOBAL ID：200903017436986136

不飽和ホスホン酸エステルの製造方法

発明者： 田中 正人 ,  韓 立彪
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院物質工学工業技術研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242811
公開番号（公開出願番号）：特開平9-136895
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 第2級ホスファイトを出発原料に用いる不飽和ホスホン酸エステルの新規な製造方法を提供。【解決手段】 パラジウム錯体触媒存在下に第2級ホスファイトとアセチレン類を反応させることを特徴とする、不飽和ホスホン酸エステルの新規な製造方法。

請求項（抜粋）：

パラジウム錯体触媒存在下に、一般式 R1C≡CR2 (I)(式中、R1およびR2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基の中から選ばれる1価の基を示す)で表されるアセチレン化合物に、一般式HP(=O)(0R3)2 (II)(式中、R3はアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基またはアリール基を示す)で表される第2級ホスファイトを反応させることを特徴とする一般式 R1CH=C(R2)P(=O)(0R3)2 (III)(R1、R2およびR3は、前記と同じ意味を有する)で表される不飽和ホスホン酸エステルの製造方法。

IPC (4件)：

C07F 9/40 ,  B01J 31/24 ,  C07F 9/6553 ,  C07B 61/00 300

FI (6件)：

C07F 9/40 C ,  C07F 9/40 E ,  C07F 9/40 Z ,  B01J 31/24 Z ,  C07F 9/6553 ,  C07B 61/00 300