特許

J-GLOBAL ID：200903017437187393

結晶欠陥量の測定方法、イオン注入量の測定方法、及び測定装置

発明者： 木下 圭 ,  北川 邦彦 ,  原 徹
出願人/特許権者： 住エレ・エスイーゼット株式会社
代理人 (1件)： 土橋 皓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-229856
出願日： 1996年02月26日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】高信頼性、非接触、非破壊で、定量的に深さ方向の結晶欠陥の分布、及びイオン注入量を測定できるものとする。【解決手段】試料と光学特性が近似した基本試料への入射光の侵入深さを算出して、第1層から第M層に分割し(S2,S3)、第1層の反射光の計測量から第1層の屈折率n1、吸収係数k1、厚さd1をフレネルの公式で算出し(S5)、第2層から第M層までを第2層から順次、第m層に起因する反射光の計測量から第m層の屈折率nm、吸収係数km、厚さdmを前層までの影響を折り込んで算出し(S8,S9,S12)、屈折率n1〜m、吸収係数k1〜mから、減衰率κ1〜mを算出し(S6,S10)、これから各層の結晶欠陥量D1〜mを算出し(S7,SS11)、試料の第1層から第M層までの結晶欠陥量の深さ分布と、総減衰率からイオン注入量を測定する。

請求項（抜粋）：

試料に光を入射し、反射光の状態を計測して、この計測量から試料の結晶欠陥量を測定する方法であって、試料に光学特性が近似した基本試料への入射光の侵入深さを算出して、第1層から第M層までのM層(M:3以上の整数)に分割し(S2,S3)、第1層に起因する反射光の計測量から第1層の屈折率n1、吸収係数k1、厚さd1をフレネルの公式から算出し(S5)、第2層から第M層までを第2層から順次、第m層(m:2以上、M以下の整数)に起因する反射光の計測量から第m層の屈折率nm、吸収係数km、厚さdmを前層までの影響を折り込んで算出し(S8,S9,S12)、求めた屈折率n1、吸収係数k1から、減衰率κ1を算出し、この減衰率κ1から第1層の結晶欠陥量D1を算出し(S6,S7)、さらに、求めた屈折率nm、吸収係数kmから、減衰率κmを算出し、この減衰率κmから第m層の結晶欠陥量Dmを算出し(S10,S11)、第1層から第M層までの試料の結晶欠陥量D1〜DMを順次算出して、試料の第1層から第M層までの結晶欠陥量の深さ分布を測定する試料の結晶欠陥量の測定方法。

IPC (4件)：

G01N 21/41 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/27 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/41 Z ,  G01N 21/00 B ,  G01N 21/27 B ,  H01L 21/66 N