特許

J-GLOBAL ID：200903017439739083

磁気素子、磁気記録装置及び書き込み方法

発明者： 森瀬 博史 ,  中村 志保
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-016139
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201059
出願日： 2006年01月25日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】微細加工による素子特性のばらつきを低減する。【解決手段】磁気素子は、磁化方向が固着された第1の磁性層FPと、第1の磁性層FPと対向して配置された磁化方向が可変である第1の領域20を含み、膜面に対して平行な方向の前記第1の磁性層より大きな幅を有し、導電性材料で形成された第2の磁性層FFと、第1の磁性層FPと第2の磁性層FFとの間に設けられ、非導電性材料で形成された第1の非磁性層SPとを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が固着された第1の磁性層と、 前記第1の磁性層と対向して配置された磁化方向が可変である第1の領域を含み、膜面に対して平行な方向の前記第1の磁性層より大きな幅を有し、導電性材料で形成された第2の磁性層と、 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられ、非導電性材料で形成された第1の非磁性層と を具備することを特徴とする磁気素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  G11C 11/15

FI (7件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L29/82 Z ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 140

Fターム (45件)：

4M119AA08 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD26 ,  4M119DD32 ,  4M119DD37 ,  4M119DD45 ,  4M119EE04 ,  4M119EE13 ,  5F092AA12 ,  5F092AA15 ,  5F092AB07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB38 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC43 ,  5F092BC46 ,  5F092BE06 ,  5F092BE14 ,  5F092CA06 ,  5F092CA23 ,  5F092CA25