イオンビーム加工装置およびその方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉岡宏嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353172
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】シャッタ板の開閉時に加工対象表面での急激な電位の変化を抑えること。【解決手段】イオン源10からのイオンビームIBを基板38に照射するとともにマイクロ波中和器14によって生成された中和電子e-を用いてイオンビームIBを中和するに際して、基板38に対するミリング処理前後はシャッタ板62で基板38を遮蔽し、シャッタ板62の開閉時には電源34の電圧を下げてイオンビームIBの照射量を制限し、基板38の表面がチャージアップとなるのを抑制する。

請求項（抜粋）：

ガスを導入してプラズマを生成するイオン源と、真空の雰囲気中で加工対象に対してイオンビームによる処理を施す処理室と、前記イオン源と前記処理室とを結ぶイオンビーム伝送路に前記イオン源で生成されたプラズマをイオンビームとして引き出して前記処理室内の加工対象に向けてイオンビームを照射するイオン源電源と、前記イオンビームを中和する中和器と、前記加工対象よりも前記イオン源側の位置に開閉自在に配置されて閉時に前記加工対象を前記イオンビームから遮蔽するシャッタ板と、前記シャッタ板の開閉時に前記イオン源電源から引き出されるイオンビームの量を制御するイオンビーム制御手段とを備えてなるイオンビーム加工装置。

IPC (5件)：

H01L 21/302 , C23C 14/46 , G21K 5/04 , H01J 37/305 , H01J 37/317

FI (5件)：

C23C 14/46 B , G21K 5/04 A , H01J 37/305 A , H01J 37/317 E , H01L 21/302 Z

Fターム (18件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029DA12 , 4K029DC37 , 4K029DE02 , 4K029EA00 , 4K029EA09 , 5C034BB09 , 5C034BB10 , 5C034CC19 , 5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004BA11 , 5F004BA14 , 5F004BB17 , 5F004BB18 , 5F004CA05 , 5F004DA23

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