半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177873
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046066
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】一度に電気的に消去する多数の不揮発性メモリセルのうち過剰消去不良発生の頻度を低減させ、また製造工程を簡素化してスループットを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】浮遊ゲート電極4を構成する薄い多結晶シリコン膜11-薄いシリコン酸化膜12-厚い多結晶シリコン膜13の積層膜を熱処理炉中で連続的に形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に被着して形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜の上面に被着して形成された浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極の上面に被着して形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜の上面に被着して形成された制御ゲート電極とを有する不揮発性メモリを具備した半導体装置の製造方法において、前記第1のゲート絶縁膜を形成した前記半導体基板を第1および第2のガス供給口を具備した熱処理炉に入炉して炉内に載置する工程と、前記第1のガス供給口から第1のガスを供給し、所定の高温度および所定の圧力の条件下で前記第1のガスを反応させて前記第1のゲート絶縁膜の上面に被着する薄い第1のシリコン膜を成長する工程と、前記半導体基板を出炉させることなく前記熱処理炉内に載置させた状態のまま、前記第1のガスの供給を停止し、前記第2のガス供給口から第2のガスを供給し、所定の高温度および所定の圧力の条件下で前記第2のガスを前記第1のシリコン膜の表面と反応させて前記第1のシリコン膜の表面に薄い第1のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板を出炉させることなく前記熱処理炉内に載置させた状態のまま、前記第2のガスの供給を停止し、前記第1のガス供給口から前記第1のガスを供給し、所定の高温度および所定の圧力の条件下で前記第1のガスを反応させて、前記第1のシリコン膜より厚い膜厚の第2のシリコン膜を前記第1のシリコン酸化膜の表面に成長する工程と、しかる後、前記半導体基板を前記熱処理炉より出炉させて、前記第2のシリコン膜、前記第1のシリコン酸化膜および前記第1のシリコン膜を有する積層膜構造をパターニングして浮遊ゲート電極を形状形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/316 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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