特許

J-GLOBAL ID：200903017459655595

半導体装置およびその製造方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190119
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045553
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 Al系配線膜の(111)配向を促進し、配線寿命を延長する。【構成】 コンタクト・ホール3の少なくとも内部において、Si基板1側から順に、CVD-Ti膜4、CVD-Ti(200)膜5、スパッタTiN(111)膜6の積層型バリヤメタルを形成する。前二者はECRプラズマCVD法で成膜されることから優れた段差被覆性を示し、後者はスパッタリング法におけるこの材料に特有の面位にて形成される。高温スパッタリング法によりAl-1%Si膜8でコンタクト・ホール3を埋め込むと、下地のスパッタTiN(111)膜6の結晶性を引き継いでこれと格子定数の近いAl-1%Si(111)膜8が成長する。

請求項（抜粋）：

基板上の層間絶縁膜に開口された接続孔の少なくとも内壁面が該基板側から順にTi膜、TiN(200)膜、TiN(111)膜の少なくとも3種類の膜が積層されてなるバリヤメタルで被覆され、前記接続孔がAl系(111)膜で埋め込まれてなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/768