特許

J-GLOBAL ID：200903017460722751

半導体装置の製造方法

発明者： 山本 充彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350766
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201862
出願日： 1993年12月31日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウエハのパッド上にパンブ電極を電解メッキにより形成した際にメッキ電極上に形成された不要なメッキ層を容易に除去する。【構成】 シリコンウエハ21上に形成されたパッシベーション膜22上のメッキ電極形成領域にアルミニウムからなる易エッチング層25を形成し、その上にバリア層兼表面層28を形成する。そして、メッキレジスト層29を形成した後、易エッチング層25上のバリア層兼表面層28を一方のメッキ電極として電解メッキを行うと、バンプ電極32が形成され、また易エッチング層25上のバリア層兼表面層28からなるメッキ電極上にメッキ層33が形成される。この後、メッキレジスト層29を除去し、次いでバリア層兼表面層28の不要な部分を除去するためにウェットエッチングを行うと、易エッチング層25がリフトオフによりその上のバリア層兼表面層28からなるメッキ電極およびメッキ層33と共に除去される。

請求項（抜粋）：

半導体装置本体上に形成されたパッシベーション膜に形成されたパッド露出用の開口部を介して前記半導体装置本体上に形成されたパッドが露出されたものを用意し、前記パッシベーション膜上のメッキ電極形成領域に易エッチング層を形成した後、その上面全体に下地金属層形成用層を形成し、前記易エッチング層上の前記下地金属層形成用層を一方のメッキ電極として電解メッキを行うことにより、前記パッド上の前記下地金属層形成用層上にバンプ電極を形成するとともに、前記易エッチング層上の前記下地金属層形成用層上にメッキ層を形成し、ウェットエッチングにより、前記バンプ電極下および前記メッキ層下以外の前記下地金属層形成用層を除去し、前記バンプ電極下に下地金属層を形成するとともに、前記易エッチング層をリフトオフによりその上の前記下地金属層形成用層からなるメッキ電極および前記メッキ層と共に除去する、ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。