特許

J-GLOBAL ID：200903017461398524

半導体モジュール用基板

発明者： 重見 臣哉
出願人/特許権者： 株式会社住友金属エレクトロデバイス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206513
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047913
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：

【課題】絶縁基板と配線金属板、及び絶縁基板と放熱板の接合強度が高く、安価で、高基板強度、高放熱特性を有する半導体モジュール用基板を提供する。【解決手段】絶縁基板11の上表面側には上面に半導体素子12が搭載されたりするための配線金属板13と、絶縁基板11の下表面側には半導体素子12から発生する熱を放熱させるための放熱板15を接合して設ける半導体モジュール用基板10において、絶縁基板11が主成分のアルミナ(Al2O3)にジルコニア(ZrO2)を添加し、イットリア(Y2O3)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)、セリア(CeO2)のいずれか1種以上の焼結助剤を添加した焼成体よりなり、しかも、絶縁基板11と配線金属板13が活性金属ろう16で接合されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上表面側には上面に半導体素子が搭載されたりするための配線金属板と、前記絶縁基板の下表面側には前記半導体素子から発生する熱を放熱させるための放熱板を接合して設ける半導体モジュール用基板において、 前記絶縁基板が主成分のアルミナ(Al2O3)にジルコニア(ZrO2)を添加し、イットリア(Y2O3)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)、セリア(CeO2)のいずれか1種以上の焼結助剤を添加した焼成体よりなり、しかも、前記絶縁基板と前記配線金属板が活性金属ろうで接合されていることを特徴とする半導体モジュール用基板。

IPC (2件)：

H01L23/373 ,  H01L23/36

FI (2件)：

H01L23/36 M ,  H01L23/36 C

Fターム (7件)：

5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB21 ,  5F036BC06 ,  5F036BD11