特許

J-GLOBAL ID：200903017465630030

半導体製造装置

発明者： 遠目塚 幸二
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228219
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043391
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】反応室内でウェーハを処理する半導体製造装置であって、該装置の内容積を従来よりも増加させることなく、ウェーハを大気に触れさせることなしに該反応室内部に搬入することを可能とする簡便で操作性良好な半導体製造装置を提供すること。【解決手段】ウェーハを収納したカセットポッド9を上方あるいは水平方向からカセットポッドパスボックス8に搬入し、カセットポッドパスボックス8の内部を窒素ガスで置換し、カセットポッド9の蓋をポッド蓋開閉機5で開き、カセットポッド9内のウェーハを、ウェーハ移載機4によって、窒素ガス雰囲気に保たれたウェーハ搬送室3中を反応室1へと搬送し、反応室1で処理し、処理後のウェーハを逆順でカセットポッドパスボックス8から取り出す操作を可能とする半導体製造装置を構成する。

請求項（抜粋）：

反応室内でウェーハを処理する半導体製造装置であって、側面にウェーハ搬入口を有する気密容器の収容が可能であり、内部空間の不活性ガス置換が可能な気密室がウェーハ搬送室に密接連結していることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  B65G 49/00 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/68 A ,  B65G 49/00 A ,  C23C 14/50 K ,  C23C 16/44 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (24件)：

4K029BD01 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA12 ,  4K030KA43 ,  5F004AA08 ,  5F004AA14 ,  5F004BC06 ,  5F031CA02 ,  5F031DA01 ,  5F031DA17 ,  5F031MA03 ,  5F031NA04 ,  5F031PA23 ,  5F045BB14 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F045HA24