半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-299890
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110716
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】樹脂封止型の半導体装置を多数個取りにより製造する際に、樹脂層にバリや欠け等が発生せず、半導体装置の寸法精度が向上したものとすること。【解決手段】セラミック母基板1の裏面にセラミック母基板を複数の領域に分割する分割溝1aを形成し、セラミック母基板1の表面に領域に対応する半導体素子搭載用の基板領域を複数設けるとともに各基板領域に半導体素子2を搭載し、半導体素子2を覆ってセラミック母基板1の表面の略全面に液状の樹脂層3を形成し、主面に各基板領域に対応する成型用凹部が形成された型材4を成型用凹部が各基板領域に対向する状態でセラミック母基板1の表面に密着させ、樹脂層3を硬化させた後に型材4をセラミック母基板1より引き離し、しかる後、セラミック母基板1を分割溝1aに沿って分割する。

請求項（抜粋）：

セラミック母基板の裏面に該セラミック母基板を複数の領域に分割する分割溝を形成し、前記セラミック母基板の表面に前記領域に対応する半導体素子搭載用の基板領域を複数設けるとともに該各基板領域に半導体素子を搭載し、該半導体素子を覆って前記セラミック母基板の表面の略全面に液状の樹脂層を形成し、主面に前記各基板領域に対応する成型用凹部が形成された型材を前記成型用凹部が前記各基板領域に対向する状態で前記セラミック母基板の表面に密着させ、前記樹脂層を硬化させた後に前記型材を前記セラミック母基板より引き離し、しかる後、前記セラミック母基板を前記分割溝に沿って分割することにより前記基板領域毎に前記半導体素子が樹脂封止されて成る半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/56 , H01L 23/13 , H01L 23/12 501

FI (3件)：

H01L 21/56 R , H01L 23/12 501 W , H01L 23/12 C

Fターム (4件)：

5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA26 , 5F061CB13

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