特許

J-GLOBAL ID：200903017471717393

半導体基板の保管方法および半導体装置の製造方法

発明者： 嵯峨 幸一郎 ,  小谷田 作夫 ,  服部 毅
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068336
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264399
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 プロセス加工前の洗浄工程の短縮化と、半導体基板のプロセス加工前に、吸着有機物などがない清浄な半導体基板を得ることが可能な半導体基板の保管方法および半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 本発明に係る半導体基板の保管方法は、半導体基板を容器に入れる前に、半導体基板の表面に、十分に厚い自然酸化膜を形成しておくことを特徴とする。自然酸化膜を半導体基板の表面に形成する工程は、半導体基板をオゾン添加超純水で洗浄する工程であることが好ましい。本発明に係る半導体装置の製造方法は、容器に半導体基板を保管する保管工程と、容器に保管された半導体基板を取り出す取出工程と、取り出された半導体基板に対して、成膜、エッチング、フォトリソグラフィーなどの加工を行う加工工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記容器に保管された半導体基板を取り出した後、加工工程の直前に、半導体基板の表面に形成された自然酸化膜を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板を容器に入れて保管する方法において、半導体基板を容器に入れる前に、半導体基板の表面に、十分に厚い自然酸化膜を形成しておくことを特徴とする半導体基板の保管方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/306 K