特許
J-GLOBAL ID：200903017475127000
原子細線pn接合素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-090612
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291561
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】原子細線pn接合を利用したダイオードやトランジスタなどの半導体素子を集積回路として超高密度に集積する。【構成】固体表面上に複数個の原子を一列もしくは複数列の直線、環状或いは曲線上に並べた原子レベルの寸法の原子細線と、電子及び正孔をドーピングするそれぞれの素子で構成される。【効果】本発明によれば、原子レベルのpn接合を利用した半導体素子を高密度に集積する効果がある。
請求項（抜粋）：
複数個の原子を一列若しくは複数列の直線、環状あるいは曲線上に並べた原子細線と、その原子細線に近接して配置された電子および正孔を供給するためのそれぞれの素子からなることを特徴とする原子細線pn接合素子
IPC (5件)：
H01L 29/68
, H01L 29/06
, H01L 31/10
, H01L 33/00
, H01S 3/18
