特許

J-GLOBAL ID：200903017482171813

接続基材および半導体装置の製造方法

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214453
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 リード部と半導体素子のパッド部との機械的・電気的接続を良好にしかも容易に行うことのできる接続基材、およびこれを用いた半導体装置の製造方法の提供が望まれている。【解決手段】 絶縁基体2上にリード部3と回路部4とが設けられ、リード部3の先端部が絶縁基体2上から延出して形成されてなり、リード部3の先端接続部に、リード部3を形成する材料によってバンプ12が形成されてなる接続基材1を用意し、半導体素子(チップ)19のパッド部19aに、接続基材1におけるリード部3の先端接続部のバンプ12を接続する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁基体上にリード部と回路部とが設けられ、該リード部の先端部が前記絶縁基体上から延出して形成されてなり、前記リード部の先端接続部に、該リード部を形成する材料によってバンプが形成されてなることを特徴とする接続基材。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/50

FI (3件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 23/50 S