特許
J-GLOBAL ID：200903017491341527
半導体装置の製造方法、および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-190588
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037152
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 TABによる実装が行われる半導体装置において、リードの補強を目的として接着された補強部材近傍のリード面のメッキ不良により発生する腐食を防止し、断面積が小さくなる傾向にあるリードの断線事故を防止可能な半導体装置の製造方法を実現する。【構成】 銅箔からなる一層テープ1に、リード群20をフォトリソグラフィー法により形成した後、メッキを行い各リード21全面にメッキ層を形成する。その後、補強部材3を接着し、リード21の補強を行い、半導体チップ30をボンディングする。
請求項（抜粋）：
複数の導体製リードからなるリード群が繰り返し形成されたテープ状のフィルムキャリヤに、半導体チップの電極がギャングボンディングされた半導体装置の製造方法において、前記ギャングボンディングに先立って前記導体製リードにメッキを施すメッキ工程と、前記リード群のメッキされた少なくとも2以上の前記導体製リードに亘って補強部材を接着する補強工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
