特許

J-GLOBAL ID：200903017494643150

半導体ウエハの製造方法

発明者： 柳澤 道彦
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 塚原 孝和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-050253
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244240
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 新規なドライエッチング工程を適用することにより、加工変質層を除去ししかも平坦性の確保とエッチピットの発生の防止とを図って高品質な半導体用のウエハを製造する半導体ウエハの製造方法を提供する。【解決手段】 スライシング工程100で、インゴットを切断してウエハを形成し、平坦化工程101で、ウエハ面をラッピング又は研削して平坦化する。そして、加熱工程1で、ウエハを加熱しながら、ドライエッチング工程2を実行する。即ち、プラズマ発生過程3を実行し、所定のガスを放電して、中性活性種を含むプラズマを放電管内に発生させる。そして、活性種輸送過程4を実行し、中性活性種をプラズマから分離して、放電管のノズル部の開口側に輸送し、当該開口に対向するウエハの面に局所的に噴射する。その後、加工変質層除去過程5の実行して、ノズル部をウエハ面に沿って移動し、ウエハの加工変質層をエッチング除去する。最後に、ポリッシング工程103でウエハを鏡面研磨する。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶でなるインゴットを切断して半導体用のウエハを得るスライシング工程と、上記スライシング工程で得た上記ウエハの面を平坦化するためにウエハ面をラッピング又は研削する平坦化工程と、上記平坦化工程で得たウエハの面に中性活性種を局所的に吹き付けながら当該ウエハの加工変質層を除去するドライエッチング工程とを具備する半導体ウエハの製造方法であって、上記ドライエッチング工程は、放電管内に収納され且つハロゲン元素を含む化合物のガスを、放電させて、中性活性種を含むプラズマを発生させるプラズマ発生過程と、上記プラズマ中の中性活性種をプラズマから分離して、この中性活性種を放電管のノズル部の開口側に輸送し、この中性活性種を当該開口に対向するウエハの面に局所的に吹き付ける活性種輸送過程と、上記ノズル部を上記ウエハ面に沿って相対的に移動させることにより、上記ウエハの加工変質層をエッチング除去する加工変質層除去過程とを有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645

FI (2件)：

H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (12件)：

5F004BA03 ,  5F004BB14 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004FA08