特許

J-GLOBAL ID：200903017497099841

半導体装置及びワイヤボンディング方法

発明者： 井上 要
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-163318
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014637
出願日： 2002年06月04日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】従来の設備を利用し、キャピラリ圧によるボンディングパッド下の集積回路にクラックなどのダメージを与えない半導体装置及びワイヤボンディング方法を得ること。【解決手段】本発明の一実施形態の半導体装置10Aは、共通の載置平面を備えた基板11上に、少なくとも第1半導体チップ20と第2半導体チップ30Aとが隣接して接着材40を介して搭載されており、第1半導体チップ20のボンディングパッド21から第2半導体チップ30Aのボンディングパッド31に直接ワイヤWをボンディングして両第1半導体チップ20、第2半導体チップ30Aが接続された構造の半導体装置において、第1半導体チップ20側の第2半導体チップ30Aのボンディングパッド31の高さ位置が第1半導体チップ20のボンディングパッド21の高さ位置より高くなるように第2半導体チップ30Aが基板11上に接着材40で傾斜させて搭載されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

共通の載置平面を備えた基板上に接着材を介して、少なくとも第1半導体チップと第2半導体チップとが隣接して搭載されており、前記第1半導体チップのボンディングパッドから前記第2半導体チップのボンディングパッドに直接ワイヤボンディングして前記両半導体チップが接続されている半導体装置において、 前記第1半導体チップ側の前記第2半導体チップのボンディングパッドの高さ位置が前記第2半導体チップの反対側のボンディングパッドの高さ位置より高くなるように前記第2半導体チップが前記基板上に傾斜して搭載されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L25/04 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

FI (2件)：

H01L25/04 Z ,  H01L21/60 301A

Fターム (3件)：

5F044AA12 ,  5F044BB01 ,  5F044FF04