特許
J-GLOBAL ID：200903017501797524

ジハロゲン化アダマンタンの製造方法

発明者：
田中 典宏

田中 典宏 について

, 
山口 真男

山口 真男 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-349102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-146916
出願日： 2001年11月14日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：
【要約】【課題】 耐熱性高分子等の高機能性材料や半導体用レジスト等の電子材料の原料として重要であるジハロゲン化アダマンタンを、金属及び金属塩を使用することなく高収率、かつ高純度で製造する方法を提供すること。【解決手段】 1位がアルキル基で置換されていても良いアダマンタンとハロスルホン酸とを反応させてジハロゲン化アダマンタンを製造するに際して、好適には有機溶媒の不存在下で、-5〜15°Cの温度で第一段目の反応を行い、次いで、17〜35°Cの温度で第二段目の反応を行うことを特徴とするジハロゲン化アダマンタンの製造方法。
請求項（抜粋）：
1位がアルキル基で置換されていても良いアダマンタンとハロスルホン酸とを反応させてジハロゲン化アダマンタンを製造するに際して、-5〜15°Cの温度で第一段目の反応を行い、次いで、17〜35°Cの温度で第二段目の反応を行うことを特徴とするジハロゲン化アダマンタンの製造方法。
IPC (3件)：
C07C 17/10 ,  C07C 17/38 ,  C07C 23/38
FI (3件)：
C07C 17/10 ,  C07C 17/38 ,  C07C 23/38
Fターム (10件)：
4H006AA02 ,  4H006AB84 ,  4H006AC30 ,  4H006AD17 ,  4H006BB70 ,  4H006BC10 ,  4H006BC31 ,  4H006BD70 ,  4H006BE55 ,  4H006EA14
引用特許：
出願人引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件)

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