半導体素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183768
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029401
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、多層配線構造を有する半導体素子におけるコンタクト孔を中心とした構造と製法に関するもので、その製造における製作時間を短縮することを目的とするものである。【構成】本発明は、半導体基板上に絶縁膜3,5,7,9,配線層4,6,8を繰り返し形成した後、複数(実施例では全層)の配線層(絶縁膜も含めて)3〜9を貫くコンタクト孔10を一挙に形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

多層配線構造の半導体装置において、複数の配線層を貫いたコンタクト孔が設けられており、該コンタクト孔に導電材が埋め込んであり、前記複数の配線層相互の電気的接続がされているとともに、前記コンタクト孔の底部において下地との電気的接続が不要な該底部にエッチングストッパー層が設けられていることを特徴とする半導体素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-260054
特開平1-098243
特開平3-283621

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