特許
J-GLOBAL ID:200903017518702420

成膜方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-323329
公開番号(公開出願番号):特開2000-144414
出願日: 1998年11月13日
公開日(公表日): 2000年05月26日
要約:
【要約】【課題】 一般的なプラズマ成膜装置を用いて、電気的絶縁性の膜材料を不純物を混入させることなく被処理物表面上に確実に成膜できる成膜方法を提供する。【解決手段】 絶縁物から成る絶縁物粒間に導電性物質を介在させたものを膜材料200として用いる。
請求項(抜粋):
真空室内にてハースに収容した膜材料をプラズマビームによって蒸発させることによって絶縁性膜を被処理物体に付着させる成膜方法において、絶縁物から成る絶縁物粒間に導電性物質を介在させたものを前記膜材料として用いることを特徴とする成膜方法。
IPC (3件):
C23C 14/38 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08
FI (3件):
C23C 14/38 ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/08 J
Fターム (16件):
4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029CA03 ,  4K029CA13 ,  4K029DA02 ,  4K029DA04 ,  4K029DB05 ,  4K029DB10 ,  4K029DB11 ,  4K029DD05 ,  4K029KA01

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