特許

J-GLOBAL ID：200903017528491281

単結晶シリコン膜の製造方法

発明者： 不破 章雄 ,  小木 勝実 ,  木村 悦治
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-162196
公開番号（公開出願番号）：特開平7-017796
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月20日
要約：

【要約】【構成】 原料ガスとしてクロロポリシラン(SinCl2n+2, n≧2、例えば2または3) を 1.0〜10モル%含有し、残部が水素または水素と不活性ガスからなる混合ガスを使用し、温度 750〜900 °CでCVD法により単結晶シリコン膜を基板上に成膜する。【効果】 単結晶Siなどの単結晶基板以外に、多結晶シリコンや石英ガラスのような多結晶または非晶質基板上にも単結晶シリコン膜を成膜することができ、例えば、石英ガラス基板上に(220) に配向した単結晶シリコン膜が形成される。

請求項（抜粋）：

クロロポリシラン(SinCl2n+2, n≧2) を 1.0〜10モル%含有し、残部が水素および/または不活性ガスである原料ガスを、 750〜900 °Cに加熱された基板と接触させることを特徴とする、単結晶シリコン膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/06 504 ,  C30B 29/06 ,  C23C 16/24 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205