特許

J-GLOBAL ID：200903017535283279

突起電極の形成方法

発明者： 池端 昌夫 ,  山下 俊光 ,  井口 泰男 ,  北山 憂子
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072329
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283538
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 めっき電極膜と突起電極との界面の表面積を十分確保でき、かつ、レジスト層のクラックを防止し、また、厚いレジスト層の穴明けが可能な突起電極の形成方法を提供する。【構成】 この発明の突起電極形成方法によれば、導電層57上に、エキシマレーザの被照射部分が除去される材料で形成された電極用予備層62を設ける。このときこの電極用予備層の材料を感光性樹脂または非感光性樹脂とする。また、この電極用予備層の表面に対して直交する方向から電極用予備層の表面に向かってエキシマレーザを照射し、導電層を露出する穴68を設ける。また、この穴に露出した導電層66上に金属層70を堆積させる。然る後、電極用予備層を除去して金属層を突起電極70として残存させる。

請求項（抜粋）：

導電層上に、エキシマレーザの被照射部分が除去される材料で形成された電極用予備層を設け、該電極用予備層の表面に対して直交する方向から前記エキシマレーザを該表面に対して部分的に照射して該電極用予備層に前記導電層を露出させる穴を設け、該穴に露出した前記導電層上に金属層を堆積させ、然る後、前記電極用予備層を除去して前記金属層を突起電極として残存させることを特徴とする突起電極の形成方法。