特許
J-GLOBAL ID:200903017538656343

(フッ化アリール)ホウ素化合物の製造方法並びにテトラキス(フッ化アリール)ホウ素誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-284170
公開番号(公開出願番号):特開平10-130276
出願日: 1996年10月25日
公開日(公表日): 1998年05月19日
要約:
【要約】【課題】 副生するハロゲン化マグネシウムが分離・除去された(フッ化アリール)ホウ素化合物を選択的にかつ簡単に安価に製造する。【解決手段】 一般式(1)【化28】(式中、R1 〜R5 はそれぞれ独立してH、F、炭化水素基又はアルコキシ基を表し、かつ、該R1 〜R5 のうちの少なくとも一つはFであり、XaはCl、Br又はIを表す)で表されるマグネシウム誘導体と、一般式(2)「BXb3 ...(2)」(式中、XbはF、Cl、Br又はIを表す)で表されるハロゲン化ホウ素とを、ジエチルエーテル(Et2 O)及び/又はTHFを含む溶媒(a)中で反応させた後、該反応液をEt2 O又はTHFの沸点よりも高い沸点を有する溶媒(b)に添加すると共に、上記Et2 O及び/又はTHFを留去する。これにより、一般式(3)【化29】(式中、R1 〜R5 、Xbは前記と同じ、nは2又は3である)で表される(フッ化アリール)ホウ素化合物が得られる。
請求項(抜粋):
一般式(1)【化1】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該R1 〜R5 のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、Xaは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるフッ化アリールマグネシウム誘導体と、一般式(2)BXb3 ......(2)(式中、Xbはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す)で表されるハロゲン化ホウ素とを、ジエチルエーテルおよび/またはテトラヒドロフランを含む溶媒(a)中で反応させた後、該反応液をジエチルエーテルまたはテトラヒドロフランの沸点よりも高い沸点を有する溶媒(b)に添加すると共に、上記ジエチルエーテルおよび/またはテトラヒドロフランを留去することを特徴とする一般式(3)【化2】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 、R5 はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表し、かつ、該R1 〜R5 のうちの少なくとも一つはフッ素原子であり、Xbはフッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表し、nは2または3である)で表される(フッ化アリール)ホウ素化合物の製造方法。
FI (2件):
C07F 5/02 B ,  C07F 5/02 F

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